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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34

[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:26

[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S

[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊

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福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:25

[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S

[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制

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福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:24

[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM

[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低

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福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:22

[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF

[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來(lái)：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:22

[全國(guó) 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH

[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)60kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-07-12 09:14:21

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