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服務(wù)區(qū)域:
廣東/東莞
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場(chǎng)效應(yīng)管:MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。

 

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng),在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進(jìn)行工作的。當(dāng)柵G電壓VG增大時(shí),p型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡,而電子逐漸積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時(shí),電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導(dǎo)電溝道。

 

當(dāng)VDS≠0時(shí),源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當(dāng)VGS>VT并取不同數(shù)值時(shí),反型層的導(dǎo)電能力將改變,在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實(shí)現(xiàn)柵源電壓VGS對(duì)源漏電流IDS的控制。

電子保單如何申領(lǐng)?

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