紅外探傷測(cè)試儀 

 

NIR-01-3D型紅外探傷測(cè)試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料，其表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)，系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)，所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求，做到絕對(duì)的穩(wěn)定性和耐用性。





技術(shù)特點(diǎn)：


■自動(dòng)化程度更高，測(cè)試效果更好


■采用銦鎵砷傳感器，而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計(jì)算機(jī)參數(shù)控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時(shí)間），其靈敏度好，探傷結(jié)果與實(shí)際情況一致性佳。不需為不同尺寸的硅塊設(shè)置不同的硬件參數(shù)（探傷位置，聚焦點(diǎn)，校準(zhǔn)）


■我們的軟件系統(tǒng)為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設(shè)置菜單，沒有必要在硬件上進(jìn)行設(shè)置（當(dāng)然我們也可以從硬件上進(jìn)行設(shè)置）。


■光源探照有效同質(zhì)區(qū)域?yàn)?00×330mm/550mm，我們采用了特殊擴(kuò)散板材料，保證了在沒有圖像處理的情況也能確保成像質(zhì)量。





■測(cè)試范圍更廣


■不僅可以探測(cè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊，而且可以探測(cè)任何尺寸的硅塊，沒有光源照射區(qū)域限制。


■也可直接對(duì)未拋光的硅塊進(jìn)行直接探測(cè)。





■壽命更長(zhǎng)


■紅外照相機(jī)３年免費(fèi)保修或更換的承諾


■我們采用的是獨(dú)特的含有冷卻單元的工業(yè)級(jí)鍍金近紅外鹵管，保證了光源的持久耐用性，設(shè)備已經(jīng)不采用普通鹵管設(shè)計(jì)，我們提供了強(qiáng)致冷卻單元，為設(shè)備的正常使用提供了足夠的冷卻單元，大大延長(zhǎng)了儀器的使用壽命。


■所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求


■即使在高照明的條件下，我們的相機(jī)傳感器也幾乎沒有退化的情況。


■有多年在歐洲生產(chǎn)銷售應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的工業(yè)應(yīng)用性。





■檢測(cè)更快


■檢測(cè)速度快，自動(dòng)四面檢測(cè)< 1分鐘,快速兩面檢測(cè)<20秒，一面<5秒





■系統(tǒng)功能強(qiáng)大


■可定制硅塊縫合復(fù)原功能


■可定制硅塊尺寸測(cè)試模塊


■可根據(jù)客戶需求進(jìn)行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長(zhǎng)情況進(jìn)行工藝分析


■ 可定制在線生產(chǎn)模式


■ 可定制砷化鎵磷化銦等其他半導(dǎo)體材料的探傷檢測(cè)


■ 可定制中文操作系統(tǒng)界面





技術(shù)指標(biāo)：


■ 主要探測(cè)指標(biāo)：裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶


■ 硅塊電阻率：≥0.5OhmCm（推薦）


■ 檢測(cè)時(shí)間：平均每個(gè)硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒


■ 硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm


■ 分辨率：320px256px（最早生產(chǎn)的產(chǎn)品）


640 px 512px（目前市場(chǎng)供應(yīng)）


1280 px1024px（2010年12月份批量生產(chǎn)）


2560 px2048px（行業(yè)最高，2011年1-3月份批量生產(chǎn)）


  


■ 旋轉(zhuǎn)臺(tái)


■ 采用單軸伺服電機(jī)


■ 最大承載量:40kg


■ 具有過流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀


■ 無步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器


■ 紅外光源


■ 高強(qiáng)度NIR鹵燈，273mm加熱波長(zhǎng)


■ 功率：230V,1000W


■ 溫度：25-60攝氏度


■ 光強(qiáng)可通過軟件控制


■ 軟件具有過熱保護(hù)





■ 觀測(cè)儀


■ 采用紅外CCD控溫


■ 12位ADC


■ 頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇


■ 像素間距: 30μm


■ 可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭





■  測(cè)試樣品


■ 測(cè)試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm


■ 一套硬件裝備可以檢測(cè)所有尺寸的硅塊


■ 適用于不同的表面質(zhì)量和厚度的硅塊


■ 適用于拋光面和裸面，拋光面探測(cè)效果更佳


■ 電阻率：≥0.5OhmCm（推薦）





■  應(yīng)用


   ■ 裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶





■  軟件（基于WIN XP）


■ 可從四個(gè)方向進(jìn)行自動(dòng)取樣


■ 可快速進(jìn)行樣塊的快速測(cè)量


■ 軟件會(huì)對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行評(píng)價(jià)


■ 可對(duì)檢測(cè)參數(shù)進(jìn)行靈活設(shè)置


■ 可進(jìn)行像素管理和圖像處理


■ 系統(tǒng)將對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行三維立體描繪[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]