單點(diǎn)少子壽命測試儀
概述:[中介]HS-CLT少子壽命測試儀是一款功能異常強(qiáng)大的少子壽命測試儀,不僅適用于硅片少子壽命的測量,更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到2000
 
產(chǎn)品介紹:
HS-CLT少子壽命測試儀是一款功能異常強(qiáng)大的少子壽命測試儀,不僅適用于硅片少子壽命的測量,更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到20000μs,硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm,(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控,少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況,是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測量儀器。
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 測試范圍廣:包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片(用于硅棒尾部反切2mm以上)等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■ 主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查,生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
■ 適用于低阻硅料少子壽命的測量,電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω·cm(可擴(kuò)展至0.01Ω·cm),完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
■ 全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測試過程,避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
■ 貫穿深度大,真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量,避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
■ 專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求,包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■ 性價(jià)比高,價(jià)格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品,極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。
推薦工作條件
■ 溫度:23±2℃
■ 濕度:60%~70%
■ 無強(qiáng)磁場、不與高頻設(shè)備鄰近
技術(shù)指標(biāo)
■ 主機(jī)構(gòu)成:HS-CLT少子壽命測試儀主機(jī)1臺,HS-CAL高級讀顯機(jī)1臺,測試樣片1片,光源線,信號線,光源電極板,防塵罩,砝碼,立柱,樣品托架
■ 測試范圍廣:硅半導(dǎo)體材料-硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片(用于硅棒尾部反切2mm以上)等,鍺半導(dǎo)體材料,拋光,研磨,裸片多種類型都可測試
■ 少子壽命測試范圍:1μs-20000μs
■ 電阻率范圍:0.1Ω.cm-10000Ω.cm
■ 激光波長:904-905nm/1.06-1.07um
■ 工作頻率:30MHz
■ 低輸出阻抗,輸出功率>1W
■ 電源:~220V  50Hz    功耗<50W
■ 檢測分辨率:0.1﹪。
■ 測試點(diǎn)大小:<10m㎡;
 [本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
產(chǎn)品介紹:
HS-CLT少子壽命測試儀是一款功能異常強(qiáng)大的少子壽命測試儀,不僅適用于硅片少子壽命的測量,更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到20000μs,硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm,(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控,少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況,是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測量儀器。
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 測試范圍廣:包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片(用于硅棒尾部反切2mm以上)等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■ 主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查,生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
■ 適用于低阻硅料少子壽命的測量,電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω·cm(可擴(kuò)展至0.01Ω·cm),完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
■ 全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測試過程,避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
■ 貫穿深度大,真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量,避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
■ 專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求,包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■ 性價(jià)比高,價(jià)格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品,極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。
推薦工作條件
■ 溫度:23±2℃
■ 濕度:60%~70%
■ 無強(qiáng)磁場、不與高頻設(shè)備鄰近
技術(shù)指標(biāo)
■ 主機(jī)構(gòu)成:HS-CLT少子壽命測試儀主機(jī)1臺,HS-CAL高級讀顯機(jī)1臺,測試樣片1片,光源線,信號線,光源電極板,防塵罩,砝碼,立柱,樣品托架
■ 測試范圍廣:硅半導(dǎo)體材料-硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片(用于硅棒尾部反切2mm以上)等,鍺半導(dǎo)體材料,拋光,研磨,裸片多種類型都可測試
■ 少子壽命測試范圍:1μs-20000μs
■ 電阻率范圍:0.1Ω.cm-10000Ω.cm
■ 激光波長:904-905nm/1.06-1.07um
■ 工作頻率:30MHz
■ 低輸出阻抗,輸出功率>1W
■ 電源:~220V  50Hz    功耗<50W
■ 檢測分辨率:0.1﹪。
■ 測試點(diǎn)大小:<10m㎡;
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